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TI amplia il portafoglio per l'alimentazione GaN con i driver GaN più piccoli e veloci del settore



Al fine di espandere la propria gamma leader nel settore per l'alimentazione al nitruro di gallio (GaN), Texas Instruments (TI)

ha annunciato due nuovi driver con transistor ad effetto di campo (FET) al GaN ad alta velocità che consentono di creare progetti più efficienti e dalle prestazioni più elevate in applicazioni in cui la velocità è fondamentale, come il LIDAR (rilevamento della distanza tramite luce) e il tracciamento dell'inviluppo a radiofrequenza (RF) 5G. LMG1020 ed LMG1210 possono fornire frequenze di commutazione di 50 MHz migliorando al contempo l'efficienza e consentendo di ridurre di cinque volte le dimensioni rispetto ai MOSFET al silicio. Ulteriori informazioni sono disponibili su www.ti.com/lmg1020-pr-eu e www.ti.com/lmg1210-pr-eu.
Grazie alla migliore velocità di azionamento del settore e alla durata minima dell'impulso di 1 ns, il driver GaN low-side LMG1020 da 60 MHz consente di realizzare laser ad alta precisione in applicazioni LIDAR industriali. Il piccolo package WCSP (Wafer-Level Chip-Scale) di soli 0,8 mm x 1,2 mm aiuta a ridurre al minimo le correnti parassite e le perdite nel loop del gate, aumentando ulteriormente l'efficienza.
LMG1210 è un driver a mezzo ponte da 50 MHz progettato per FET al GaN fino a 200 V. La funzione regolabile di controllo dei tempi morti del dispositivo è progettata per migliorare l'efficienza fino al 5% nei convertitori CC/CC ad alta velocità, negli azionamenti motore, negli amplificatori audio di classe D e in altre applicazioni di conversione di potenza. I progettisti possono ottenere un'elevata immunità al rumore di sistema grazie alla più elevata immunità ai transienti di modo comune (CMTI) del settore pari a oltre 300 V/ns.
Caratteristiche e vantaggi fondamentali di LMG1020 ed LMG1210
· Velocità elevata: il ridottissimo ritardo di propagazione dei due dispositivi (2,5 ns LMG1020 e 10 ns LMG1210) rende possibile realizzare soluzioni di alimentazione 50 volte più veloci rispetto ai driver al silicio. Inoltre, LMG1020 è in grado di fornire impulsi laser da 1 ns ad alta potenza, consentendo applicazioni LIDAR a lungo raggio.
· Efficienza elevata: entrambi i dispositivi consentono progetti ad alta efficienza. LMG1210 presenta una ridotta capacità del nodo di commutazione di 1 pF e un controllo dei tempi morti regolabile dall'utente per migliorare l'efficienza fino al 5%.
· Densità di potenza: la funzionalità integrata di controllo dei tempi morti di LMG1210 permette di ridurre il numero di componenti e una maggiore efficienza, consentendo ai progettisti di ridurre le dimensioni dell'alimentazione fino all'80%. La maggiore densità di potenza di LMG1020 consente la massima risoluzione in LIDAR con il package più piccolo del settore.
Il vantaggio del GaN di TI
LMG1020 e LMG1210 sono le ultime aggiunte alla più vasta gamma per l'alimentazione al GaN nel settore, che spazia dai driver a 200 V fino agli stadi di potenza da 80 V e 600 V. Con oltre 7 milioni di ore di test sull'affidabilità del processo GaN, TI sta rispondendo alla necessità di soluzioni collaudate e pronte all'uso con prodotti al GaN affidabili, in modo da sfruttare per la tecnologia al GaN i decenni di esperienza nella produzione al silicio e le avanzate capacità di sviluppo dei dispositivi.
Visitate TI all'APEC
TI presenterà la sua vasta gamma al GaN e le possibilità offerte dalla tecnologia al GaN presso lo stand n° 501 alla Applied Power Electronics Conference (APEC) di San Antonio, Texas, il 4-8 marzo 2018.
Strumenti e assistenza per velocizzare la progettazione
I progettisti possono valutare rapidamente e facilmente questi nuovi dispositivi con i moduli di valutazione LMG1020EVM-006 e LMG1210EVM-012 e i modelli SPICE. Gli ingegneri possono avviare i loro progetti GaN usando il Progetto di riferimento per driver laser a nanosecondi per LIDAR e il Progetto di riferimento per stadio di potenza multi-megahertz GaN per convertitori CC/CC ad alta velocità.
Package, prezzi e disponibilità
Sono disponibili campioni prototipo per LMG1020 ed LMG1210 sul Negozio TI e attraverso la rete di distribuzione autorizzata della società. LMG1020 è disponibile in un package WCSP al prezzo di US $ 1,79 per quantità da 1.000 pezzi, mentre LMG1210 è disponibile in un package QFN (Quad Flat No-Lead) e al prezzo di US $ 2,19 per quantità da 1.000 pezzi.

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Al fine di espandere la propria gamma leader nel settore per l'alimentazione al nitruro di gallio (GaN), Texas Instruments (TI)

ha annunciato due nuovi driver con transistor ad effetto di campo (FET) al GaN ad alta velocità che consentono di creare progetti più efficienti e dalle prestazioni più elevate in applicazioni in cui la velocità è fondamentale, come il LIDAR (rilevamento della distanza tramite luce) e il tracciamento dell'inviluppo a radiofrequenza (RF) 5G. LMG1020 ed LMG1210 possono fornire frequenze di commutazione di 50 MHz migliorando al contempo l'efficienza e consentendo di ridurre di cinque volte le dimensioni rispetto ai MOSFET al silicio. Ulteriori informazioni sono disponibili su www.ti.com/lmg1020-pr-eu e www.ti.com/lmg1210-pr-eu.
Grazie alla migliore velocità di azionamento del settore e alla durata minima dell'impulso di 1 ns, il driver GaN low-side LMG1020 da 60 MHz consente di realizzare laser ad alta precisione in applicazioni LIDAR industriali. Il piccolo package WCSP (Wafer-Level Chip-Scale) di soli 0,8 mm x 1,2 mm aiuta a ridurre al minimo le correnti parassite e le perdite nel loop del gate, aumentando ulteriormente l'efficienza.
LMG1210 è un driver a mezzo ponte da 50 MHz progettato per FET al GaN fino a 200 V. La funzione regolabile di controllo dei tempi morti del dispositivo è progettata per migliorare l'efficienza fino al 5% nei convertitori CC/CC ad alta velocità, negli azionamenti motore, negli amplificatori audio di classe D e in altre applicazioni di conversione di potenza. I progettisti possono ottenere un'elevata immunità al rumore di sistema grazie alla più elevata immunità ai transienti di modo comune (CMTI) del settore pari a oltre 300 V/ns.
Caratteristiche e vantaggi fondamentali di LMG1020 ed LMG1210
· Velocità elevata: il ridottissimo ritardo di propagazione dei due dispositivi (2,5 ns LMG1020 e 10 ns LMG1210) rende possibile realizzare soluzioni di alimentazione 50 volte più veloci rispetto ai driver al silicio. Inoltre, LMG1020 è in grado di fornire impulsi laser da 1 ns ad alta potenza, consentendo applicazioni LIDAR a lungo raggio.
· Efficienza elevata: entrambi i dispositivi consentono progetti ad alta efficienza. LMG1210 presenta una ridotta capacità del nodo di commutazione di 1 pF e un controllo dei tempi morti regolabile dall'utente per migliorare l'efficienza fino al 5%.
· Densità di potenza: la funzionalità integrata di controllo dei tempi morti di LMG1210 permette di ridurre il numero di componenti e una maggiore efficienza, consentendo ai progettisti di ridurre le dimensioni dell'alimentazione fino all'80%. La maggiore densità di potenza di LMG1020 consente la massima risoluzione in LIDAR con il package più piccolo del settore.
Il vantaggio del GaN di TI
LMG1020 e LMG1210 sono le ultime aggiunte alla più vasta gamma per l'alimentazione al GaN nel settore, che spazia dai driver a 200 V fino agli stadi di potenza da 80 V e 600 V. Con oltre 7 milioni di ore di test sull'affidabilità del processo GaN, TI sta rispondendo alla necessità di soluzioni collaudate e pronte all'uso con prodotti al GaN affidabili, in modo da sfruttare per la tecnologia al GaN i decenni di esperienza nella produzione al silicio e le avanzate capacità di sviluppo dei dispositivi.
Visitate TI all'APEC
TI presenterà la sua vasta gamma al GaN e le possibilità offerte dalla tecnologia al GaN presso lo stand n° 501 alla Applied Power Electronics Conference (APEC) di San Antonio, Texas, il 4-8 marzo 2018.
Strumenti e assistenza per velocizzare la progettazione
I progettisti possono valutare rapidamente e facilmente questi nuovi dispositivi con i moduli di valutazione LMG1020EVM-006 e LMG1210EVM-012 e i modelli SPICE. Gli ingegneri possono avviare i loro progetti GaN usando il Progetto di riferimento per driver laser a nanosecondi per LIDAR e il Progetto di riferimento per stadio di potenza multi-megahertz GaN per convertitori CC/CC ad alta velocità.
Package, prezzi e disponibilità
Sono disponibili campioni prototipo per LMG1020 ed LMG1210 sul Negozio TI e attraverso la rete di distribuzione autorizzata della società. LMG1020 è disponibile in un package WCSP al prezzo di US $ 1,79 per quantità da 1.000 pezzi, mentre LMG1210 è disponibile in un package QFN (Quad Flat No-Lead) e al prezzo di US $ 2,19 per quantità da 1.000 pezzi.

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ha annunciato due nuovi driver con transistor ad effetto di campo (FET) al GaN ad alta velocità che consentono di creare progetti più efficienti e dalle prestazioni più elevate in applicazioni in cui la velocità è fondamentale, come il LIDAR (rilevamento della distanza tramite luce) e il tracciamento dell'inviluppo a radiofrequenza (RF) 5G. LMG1020 ed LMG1210 possono fornire frequenze di commutazione di 50 MHz migliorando al contempo l'efficienza e consentendo di ridurre di cinque volte le dimensioni rispetto ai MOSFET al silicio. Ulteriori informazioni sono disponibili su www.ti.com/lmg1020-pr-eu e www.ti.com/lmg1210-pr-eu.
Grazie alla migliore velocità di azionamento del settore e alla durata minima dell'impulso di 1 ns, il driver GaN low-side LMG1020 da 60 MHz consente di realizzare laser ad alta precisione in applicazioni LIDAR industriali. Il piccolo package WCSP (Wafer-Level Chip-Scale) di soli 0,8 mm x 1,2 mm aiuta a ridurre al minimo le correnti parassite e le perdite nel loop del gate, aumentando ulteriormente l'efficienza.
LMG1210 è un driver a mezzo ponte da 50 MHz progettato per FET al GaN fino a 200 V. La funzione regolabile di controllo dei tempi morti del dispositivo è progettata per migliorare l'efficienza fino al 5% nei convertitori CC/CC ad alta velocità, negli azionamenti motore, negli amplificatori audio di classe D e in altre applicazioni di conversione di potenza. I progettisti possono ottenere un'elevata immunità al rumore di sistema grazie alla più elevata immunità ai transienti di modo comune (CMTI) del settore pari a oltre 300 V/ns.
Caratteristiche e vantaggi fondamentali di LMG1020 ed LMG1210
· Velocità elevata: il ridottissimo ritardo di propagazione dei due dispositivi (2,5 ns LMG1020 e 10 ns LMG1210) rende possibile realizzare soluzioni di alimentazione 50 volte più veloci rispetto ai driver al silicio. Inoltre, LMG1020 è in grado di fornire impulsi laser da 1 ns ad alta potenza, consentendo applicazioni LIDAR a lungo raggio.
· Efficienza elevata: entrambi i dispositivi consentono progetti ad alta efficienza. LMG1210 presenta una ridotta capacità del nodo di commutazione di 1 pF e un controllo dei tempi morti regolabile dall'utente per migliorare l'efficienza fino al 5%.
· Densità di potenza: la funzionalità integrata di controllo dei tempi morti di LMG1210 permette di ridurre il numero di componenti e una maggiore efficienza, consentendo ai progettisti di ridurre le dimensioni dell'alimentazione fino all'80%. La maggiore densità di potenza di LMG1020 consente la massima risoluzione in LIDAR con il package più piccolo del settore.
Il vantaggio del GaN di TI
LMG1020 e LMG1210 sono le ultime aggiunte alla più vasta gamma per l'alimentazione al GaN nel settore, che spazia dai driver a 200 V fino agli stadi di potenza da 80 V e 600 V. Con oltre 7 milioni di ore di test sull'affidabilità del processo GaN, TI sta rispondendo alla necessità di soluzioni collaudate e pronte all'uso con prodotti al GaN affidabili, in modo da sfruttare per la tecnologia al GaN i decenni di esperienza nella produzione al silicio e le avanzate capacità di sviluppo dei dispositivi.
Visitate TI all'APEC
TI presenterà la sua vasta gamma al GaN e le possibilità offerte dalla tecnologia al GaN presso lo stand n° 501 alla Applied Power Electronics Conference (APEC) di San Antonio, Texas, il 4-8 marzo 2018.
Strumenti e assistenza per velocizzare la progettazione
I progettisti possono valutare rapidamente e facilmente questi nuovi dispositivi con i moduli di valutazione LMG1020EVM-006 e LMG1210EVM-012 e i modelli SPICE. Gli ingegneri possono avviare i loro progetti GaN usando il Progetto di riferimento per driver laser a nanosecondi per LIDAR e il Progetto di riferimento per stadio di potenza multi-megahertz GaN per convertitori CC/CC ad alta velocità.
Package, prezzi e disponibilità
Sono disponibili campioni prototipo per LMG1020 ed LMG1210 sul Negozio TI e attraverso la rete di distribuzione autorizzata della società. LMG1020 è disponibile in un package WCSP al prezzo di US $ 1,79 per quantità da 1.000 pezzi, mentre LMG1210 è disponibile in un package QFN (Quad Flat No-Lead) e al prezzo di US $ 2,19 per quantità da 1.000 pezzi.

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